casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MA2S11100L
codice articolo del costruttore | MA2S11100L |
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Numero di parte futuro | FT-MA2S11100L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA2S11100L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini2-F1 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA2S11100L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA2S11100L-FT |
RF505BM6STL
Rohm Semiconductor
RFN10B3STL
Rohm Semiconductor
RFN3BM2STL
Rohm Semiconductor
RFN3BM6STL
Rohm Semiconductor
RFN5B6STL
Rohm Semiconductor
RFN5BM2STL
Rohm Semiconductor
RFN5BM3STL
Rohm Semiconductor
RFN5BM6STL
Rohm Semiconductor
RB531ES-30T15R
Rohm Semiconductor
RSX201VAM30TR
Rohm Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel