casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RSX201VAM30TR
codice articolo del costruttore | RSX201VAM30TR |
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Numero di parte futuro | FT-RSX201VAM30TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RSX201VAM30TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 420mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | TUMD2M |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RSX201VAM30TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RSX201VAM30TR-FT |
RF201LAM2STR
Rohm Semiconductor
RFN1LAM7STFTR
Rohm Semiconductor
RFN1LAM7STR
Rohm Semiconductor
RFN2LAM4STR
Rohm Semiconductor
RR2LAM6STR
Rohm Semiconductor
RSX201LAM30TFTR
Rohm Semiconductor
RSX301LAM30TFTR
Rohm Semiconductor
RR1VWM4STFTR
Rohm Semiconductor
RR1VWM6STFTR
Rohm Semiconductor
RFN10NS6SFHTL
Rohm Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel