casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / MA2JP0200L
codice articolo del costruttore | MA2JP0200L |
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Numero di parte futuro | FT-MA2JP0200L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MA2JP0200L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 60V |
Corrente - max | 100mA |
Capacità @ Vr, F | 0.5pF @ 1V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 2 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 150mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | SC-90, SOD-323F |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini2-F1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA2JP0200L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MA2JP0200L-FT |
HSMS-282C-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282C-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282C-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282E-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282E-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-282F-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-282F-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-282F-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-285B-BLKG
Broadcom Limited
MPF300T-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7
Intel
5SGXEA5K2F40C2L
Intel
10M04SAU169C8G
Intel
XCKU5P-1FFVD900E
Xilinx Inc.
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2LG
Intel
10AX115U3F45I2LG
Intel
EP2AGX65DF29C4
Intel