casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / HSMS-282E-TR1G
codice articolo del costruttore | HSMS-282E-TR1G |
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Numero di parte futuro | FT-HSMS-282E-TR1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-282E-TR1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - 1 Pair Common Anode |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 15V |
Corrente - max | 1A |
Capacità @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 12 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-282E-TR1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSMS-282E-TR1G-FT |
ASML-5829-TR2G
Broadcom Limited
HBAT-540B-BLKG
Broadcom Limited
HBAT-540B-TR1
Broadcom Limited
HBAT-540B-TR1G
Broadcom Limited
HBAT-540B-TR2G
Broadcom Limited
HBAT-540C-BLKG
Broadcom Limited
HBAT-540C-TR1
Broadcom Limited
HBAT-540C-TR1G
Broadcom Limited
HBAT-540C-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-381B-BLKG
Broadcom Limited
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F23A7N
Intel
EP4CE75F23C9L
Intel
5SGXEB6R2F40I2N
Intel
EP4SE530F43C2ES
Intel
XA6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP3C120F780I7N
Intel
EPF10K50SBC356-1
Intel