casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M59DR032EA10ZB6
codice articolo del costruttore | M59DR032EA10ZB6 |
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Numero di parte futuro | FT-M59DR032EA10ZB6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M59DR032EA10ZB6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 32Mb (2M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 2.2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-LFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TFBGA (7x12) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M59DR032EA10ZB6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M59DR032EA10ZB6-FT |
M50FLW080AN5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BK5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BK5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BN5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BN5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BNB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BNB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW016N5G
Micron Technology Inc.