casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M50FLW080BN5G
codice articolo del costruttore | M50FLW080BN5G |
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Numero di parte futuro | FT-M50FLW080BN5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M50FLW080BN5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frequenza di clock | 33MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 250ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 40-TSOP (10x20) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M50FLW080BN5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M50FLW080BN5G-FT |
M29W640GB6AZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB6AZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GB70N3E
Micron Technology Inc.
M29W640GB70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GB70NA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZA3E
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZF3F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZS6E
Micron Technology Inc.
M29W640GB70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GB7AN6E
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation