casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W640GB70N3F TR
codice articolo del costruttore | M29W640GB70N3F TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-M29W640GB70N3F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W640GB70N3F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GB70N3F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W640GB70N3F TR-FT |
M29W010B70N6E
Micron Technology Inc.
M29W010B70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W010B90K1
Micron Technology Inc.
M29W040B55K6E
Micron Technology Inc.
M29W040B55N1
Micron Technology Inc.
M29W040B70N6E
Micron Technology Inc.
M29W040B90K1
STMicroelectronics
M29W040B90K1E
Micron Technology Inc.
M29W040B90K6
Micron Technology Inc.
M29W040B90N1
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation