casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / M5060SB600
codice articolo del costruttore | M5060SB600 |
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Numero di parte futuro | FT-M5060SB600 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M5060SB600 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 50A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M5060SB600 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M5060SB600-FT |
GBJ602-F
Diodes Incorporated
GBJ1501-F
Diodes Incorporated
GBJ1508-F
Diodes Incorporated
GBJ606-F
Diodes Incorporated
GBJ608-F
Diodes Incorporated
GBJ1502-F
Diodes Incorporated
GBJ610-F
Diodes Incorporated
GBJ1008-F
Diodes Incorporated
GBJ8005
Diodes Incorporated
GBJ10005
Diodes Incorporated
XA2S50E-6TQ144I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1AGX50CF484C6
Intel
10CL006ZU256I8G
Intel
5SGSMD6K3F40C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FF665I
Xilinx Inc.
10AX066H3F34I3SGES
Intel
EP2OK60EQI208-2X
Intel