casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / GBJ608-F
codice articolo del costruttore | GBJ608-F |
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Numero di parte futuro | FT-GBJ608-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ608-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacchetto dispositivo fornitore | GBJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ608-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GBJ608-F-FT |
W06G
Diodes Incorporated
W08G
Diodes Incorporated
W10G
Diodes Incorporated
RS401L
Diodes Incorporated
RS402L
Diodes Incorporated
RS402LDI-F
Diodes Incorporated
RS403L
Diodes Incorporated
RS403L-F
Diodes Incorporated
RS404L
Diodes Incorporated
RS404L-F
Diodes Incorporated
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
EP1K50TI144-2
Intel
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-1BG272I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP3C5F256I7
Intel
XC4006E-4PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation