casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / M50100SB400
codice articolo del costruttore | M50100SB400 |
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Numero di parte futuro | FT-M50100SB400 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M50100SB400 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M50100SB400 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M50100SB400-FT |
GBJ608-F
Diodes Incorporated
GBJ1502-F
Diodes Incorporated
GBJ610-F
Diodes Incorporated
GBJ1008-F
Diodes Incorporated
GBJ8005
Diodes Incorporated
GBJ10005
Diodes Incorporated
GBJ1001
Diodes Incorporated
GBJ1002
Diodes Incorporated
GBJ1004
Diodes Incorporated
GBJ1006
Diodes Incorporated
LCMXO2-640HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4S100G2F40I1N
Intel
AGLP030V2-CS289
Microsemi Corporation
AGL1000V5-CS281
Microsemi Corporation
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8
Intel