casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M48Z512BV-85PM1
codice articolo del costruttore | M48Z512BV-85PM1 |
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Numero di parte futuro | FT-M48Z512BV-85PM1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M48Z512BV-85PM1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 85ns |
Tempo di accesso | 85ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-PMDIP Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z512BV-85PM1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M48Z512BV-85PM1-FT |
TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel