casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M48Z35Y-70MH6E
codice articolo del costruttore | M48Z35Y-70MH6E |
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Numero di parte futuro | FT-M48Z35Y-70MH6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M48Z35Y-70MH6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-SOH |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z35Y-70MH6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M48Z35Y-70MH6E-FT |
W632GU6MB15I
Winbond Electronics
W632GU6MB15I TR
Winbond Electronics
TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel