casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M48Z02-200PC1
codice articolo del costruttore | M48Z02-200PC1 |
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Numero di parte futuro | FT-M48Z02-200PC1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M48Z02-200PC1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 200ns |
Tempo di accesso | 200ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-PCDIP, CAPHAT® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z02-200PC1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M48Z02-200PC1-FT |
TC58NVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0FTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG3S0FTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel