casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / TH58NVG4S0HTA20
codice articolo del costruttore | TH58NVG4S0HTA20 |
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Numero di parte futuro | FT-TH58NVG4S0HTA20 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TH58NVG4S0HTA20 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Dimensione della memoria | 16Gb (2G x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 25ns |
Tempo di accesso | 25ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP I |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TH58NVG4S0HTA20 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TH58NVG4S0HTA20-FT |
W631GG6KB-12
Winbond Electronics
W631GG6KB-11
Winbond Electronics
W631GG6KB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG6KB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG6KB-15 TR
Winbond Electronics
W631GG6KB12I
Winbond Electronics
W631GG6KB12I TR
Winbond Electronics
W631GG6KB15I
Winbond Electronics
W631GG6KB15I TR
Winbond Electronics
W631GU6KB-12
Winbond Electronics
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel