casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M39L0R8090U3ZE6F TR
codice articolo del costruttore | M39L0R8090U3ZE6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M39L0R8090U3ZE6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M39L0R8090U3ZE6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NOR, Mobile LPDDR SDRAM |
Dimensione della memoria | 256Mb (16M x 16), 512M (32M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 133-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 133-VFBGA (8x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M39L0R8090U3ZE6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M39L0R8090U3ZE6F TR-FT |
M29W320DB80ZA3F TR
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320ET70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400BT90M1T TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB45N6E
Micron Technology Inc.
M29W400DB55N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB55ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB70N6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400DT45N6E
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel