casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W400DB70N6F TR
codice articolo del costruttore | M29W400DB70N6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29W400DB70N6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W400DB70N6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400DB70N6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W400DB70N6F TR-FT |
M29F800DT70M6E
Micron Technology Inc.
M29F800FB52M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F800FB55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F800FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FB5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F800FB5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F800FT55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel