casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W128GL60ZA6E
codice articolo del costruttore | M29W128GL60ZA6E |
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Numero di parte futuro | FT-M29W128GL60ZA6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W128GL60ZA6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 60ns |
Tempo di accesso | 60ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 64-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 64-TBGA (10x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GL60ZA6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W128GL60ZA6E-FT |
M29F080D70N6E
Micron Technology Inc.
M29F160FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F160FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FB5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F160FB5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FB5KN3E2
Micron Technology Inc.
M29F160FB5KN3E2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FT55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F160FT55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FT5AN6E2
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel