casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W320DB90N6
codice articolo del costruttore | M29W320DB90N6 |
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Numero di parte futuro | FT-M29W320DB90N6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W320DB90N6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 90ns |
Tempo di accesso | 90ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W320DB90N6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W320DB90N6-FT |
MT29F4G08ABADAWP-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBACAWP-Z:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBAAAWP-Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABADAWP-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B TR
Micron Technology Inc.
M28W160CB100N6T TR
Micron Technology Inc.
XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP3SL70F484I3N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
5SGXMB9R3H43C3N
Intel
XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation