casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / JS28F00AP30EF0
codice articolo del costruttore | JS28F00AP30EF0 |
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Numero di parte futuro | FT-JS28F00AP30EF0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Axcell™ |
JS28F00AP30EF0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 40MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 110ns |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP (14x20) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JS28F00AP30EF0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JS28F00AP30EF0-FT |
RC28F256M29EWHA
Micron Technology Inc.
RC28F256M29EWLA
Micron Technology Inc.
RC28F256P30B85A
Micron Technology Inc.
RC28F256P30B85D TR
Micron Technology Inc.
RC28F256P30BFA
Micron Technology Inc.
RC28F256P30BFE
Micron Technology Inc.
RC28F256P30T85A
Micron Technology Inc.
RC28F256P30T85B TR
Micron Technology Inc.
RC28F256P30TFA
Micron Technology Inc.
RC28F256P30TFE
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel