casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29W128GH7AN6F TR
codice articolo del costruttore | M29W128GH7AN6F TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29W128GH7AN6F TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29W128GH7AN6F TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GH7AN6F TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29W128GH7AN6F TR-FT |
M29F040B90N6
Micron Technology Inc.
M29F080D70M6
STMicroelectronics
M29F080D70N6
Micron Technology Inc.
M29F080D70N6E
Micron Technology Inc.
M29F160FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F160FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FB5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F160FB5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FB5KN3E2
Micron Technology Inc.
M29F160FB5KN3E2 TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel