casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29F080D70N6
codice articolo del costruttore | M29F080D70N6 |
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Numero di parte futuro | FT-M29F080D70N6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F080D70N6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 40-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F080D70N6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29F080D70N6-FT |
M27C256B-10C6
STMicroelectronics
M27C256B-10C6TR
STMicroelectronics
M27C256B-12C1
STMicroelectronics
M27C256B-12C6
STMicroelectronics
M27C256B-15C1
STMicroelectronics
M27C256B-70C1
STMicroelectronics
M27C256B-70C6
STMicroelectronics
M27C256B-90C1
STMicroelectronics
M27C256B-90C6
STMicroelectronics
M27C322-100F1
STMicroelectronics
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel