casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M29F400BB70N6T TR
codice articolo del costruttore | M29F400BB70N6T TR |
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Numero di parte futuro | FT-M29F400BB70N6T TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M29F400BB70N6T TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F400BB70N6T TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M29F400BB70N6T TR-FT |
MT29F1G16ABCHC-ET:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABCHC:C
Micron Technology Inc.
MT29F1G16ABCHC:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G01AAAEDH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation