casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F2G08ABAEAH4:E
codice articolo del costruttore | MT29F2G08ABAEAH4:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F2G08ABAEAH4:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F2G08ABAEAH4:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 63-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 63-VFBGA (9x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAH4:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F2G08ABAEAH4:E-FT |
MT41J128M16HA-15E AAT:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E AIT:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E IT:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-15E:D TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M16HA-187E:D
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-125:K
Micron Technology Inc.
MT41J128M16JT-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J128M8JP-15E:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-093 J:E
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel