casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M27C256B-90C6
codice articolo del costruttore | M27C256B-90C6 |
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Numero di parte futuro | FT-M27C256B-90C6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M27C256B-90C6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EPROM |
Tecnologia | EPROM - OTP |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 90ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 32-LCC (J-Lead) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-PLCC (11.35x13.89) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C256B-90C6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M27C256B-90C6-FT |
JS28F128M29EWHA
Micron Technology Inc.
JS28F256J3F105B TR
Micron Technology Inc.
JS28F256M29EBHB TR
Micron Technology Inc.
JS28F256M29EWHB TR
Micron Technology Inc.
JS28F256M29EWHD
Micron Technology Inc.
JS28F256M29EWLD
Micron Technology Inc.
JS28F256P30BFF TR
Micron Technology Inc.
JS28F256P30T2E
Micron Technology Inc.
JS28F256P33T2E
Micron Technology Inc.
JS28F320J3F75B TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel