casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / JS28F256M29EBHB TR
codice articolo del costruttore | JS28F256M29EBHB TR |
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Numero di parte futuro | FT-JS28F256M29EBHB TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
JS28F256M29EBHB TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8, 16M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 110ns |
Tempo di accesso | 110ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JS28F256M29EBHB TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JS28F256M29EBHB TR-FT |
IS61NVP51236-200B3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP51236-200B3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP51236-250B3
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP51236-250B3-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NVP51236-250B3I
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IS61NVP51236-250B3I-TR
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IS61QDPB42M36A-550M3L
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61QDPB42M36A-550M3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61QDPB42M36A1-550M3L
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IS61QDPB42M36A1-550M3LI
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