casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / M24C02-RMN6TP
codice articolo del costruttore | M24C02-RMN6TP |
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Numero di parte futuro | FT-M24C02-RMN6TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
M24C02-RMN6TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frequenza di clock | 400kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 900ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C02-RMN6TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M24C02-RMN6TP-FT |
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A
Micron Technology Inc.
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR
Micron Technology Inc.
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A
Micron Technology Inc.
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR
Micron Technology Inc.
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A
Micron Technology Inc.
W978H2KBVX2E
Winbond Electronics
W978H2KBVX2I
Winbond Electronics
W979H2KBVX2E
Winbond Electronics
W979H6KBVX2E
Winbond Electronics
W979H6KBVX2E TR
Winbond Electronics
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
Intel