casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W979H2KBVX2E
codice articolo del costruttore | W979H2KBVX2E |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-W979H2KBVX2E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W979H2KBVX2E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 512Mb (16M x 32) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 134-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 134-VFBGA (10x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W979H2KBVX2E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W979H2KBVX2E-FT |
W9725G8KB-18 TR
Winbond Electronics
W9725G8KB-25
Winbond Electronics
W9725G8KB-25 TR
Winbond Electronics
W9725G8KB25I
Winbond Electronics
W9725G8KB25I TR
Winbond Electronics
W9751G8KB-25 TR
Winbond Electronics
W9751G8KB25I
Winbond Electronics
W9751G8KB25I TR
Winbond Electronics
W25M02GVTCIG TR
Winbond Electronics
W25M02GVTCIT TR
Winbond Electronics
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel