casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / M10H100HE3_A/P
codice articolo del costruttore | M10H100HE3_A/P |
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Numero di parte futuro | FT-M10H100HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
M10H100HE3_A/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M10H100HE3_A/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | M10H100HE3_A/P-FT |
JANTXV1N3768R
Microsemi Corporation
JANTXV1N3893
Microsemi Corporation
JANTXV1N3911
Microsemi Corporation
JANTXV1N3912
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UB
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UB2
Microsemi Corporation
JANTXV1N4153-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N4153UR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N5187
Microsemi Corporation
JANTXV1N5188
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation