casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-HFA16PB120-N3
codice articolo del costruttore | VS-HFA16PB120-N3 |
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Numero di parte futuro | FT-VS-HFA16PB120-N3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-HFA16PB120-N3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3V @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 90ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC Modified |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA16PB120-N3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-HFA16PB120-N3-FT |
MURB820-1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI10150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20100SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20120SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI20150SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SGHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VI30100SHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
Intel