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codice articolo del costruttore | LQW18AN4N9C8ZD |
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Numero di parte futuro | FT-LQW18AN4N9C8ZD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LQW18 |
LQW18AN4N9C8ZD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Non-Magnetic |
Induttanza | 4.9nH |
Tolleranza | ±0.2nH |
Valutazione attuale | 1.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 81 mOhm Max |
Q @ Freq | 23 @ 250MHz |
Frequenza - Autorisonante | 7.3GHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0603 (1608 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AN4N9C8ZD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LQW18AN4N9C8ZD-FT |
LQW18ANR22G8ZD
Murata Electronics North America
LQW18ANR33J80D
Murata Electronics North America
LQW18AS47NJ0ZD
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LQW18AN10NJ80D
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LQW18AN11NG00D
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LQW18AN12NJ10D
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APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
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A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation