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codice articolo del costruttore | LNY2W332MSEHBB |
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Numero di parte futuro | FT-LNY2W332MSEHBB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LNY |
LNY2W332MSEHBB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 3300µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 450V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Polarizzazione | Polar |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 12.6A @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 17.64A @ 10kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 1.252" (31.80mm) |
Dimensione / Dimensione | 3.000" Dia (76.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 3.465" (88.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Radial, Can - Screw Terminals |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNY2W332MSEHBB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LNY2W332MSEHBB-FT |
LNY2G562MSEGBB
Nichicon
LNY2G562MSEGBN
Nichicon
LNY2G562MSEHBB
Nichicon
LNY2G562MSEHBN
Nichicon
LNY2G682MSEGBB
Nichicon
LNY2G682MSEGBN
Nichicon
LNY2G822MSEGBB
Nichicon
LNY2G822MSEGBN
Nichicon
LNY2G822MSEHBB
Nichicon
LNY2G822MSEHBN
Nichicon
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C8N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
LFX200B-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation