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codice articolo del costruttore | LNY2G822MSEHBN |
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Numero di parte futuro | FT-LNY2G822MSEHBN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LNY |
LNY2G822MSEHBN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 8200µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 400V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Polarizzazione | Polar |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 21.2A @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 29.68A @ 10kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 1.252" (31.80mm) |
Dimensione / Dimensione | 3.000" Dia (76.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 6.024" (153.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Radial, Can - Screw Terminals |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LNY2G822MSEHBN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LNY2G822MSEHBN-FT |
LNX2W103MSEJBB
Nichicon
LNX2W103MSEJBN
Nichicon
LNX2W122MSEFBB
Nichicon
LNX2W122MSEFBN
Nichicon
LNX2W123MSEJBB
Nichicon
LNX2W123MSEJBN
Nichicon
LNX2W152MSEFBB
Nichicon
LNX2W152MSEFBN
Nichicon
LNX2W153MSEKBN
Nichicon
LNX2W182MSEFBB
Nichicon
LCMXO640E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FG484M
Microsemi Corporation
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C7
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
Xilinx Inc.
AGL125V2-CS196
Microsemi Corporation
A42MX09-TQG176M
Microsemi Corporation