casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LL46-GS18
codice articolo del costruttore | LL46-GS18 |
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Numero di parte futuro | FT-LL46-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
LL46-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 250mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 MiniMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LL46-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LL46-GS18-FT |
BAS282-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS282-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS283-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS283-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS285-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS285-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS286-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS286-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV200-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV200-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel