casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS282-GS18
codice articolo del costruttore | BAS282-GS18 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS282-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS282-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 15mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200nA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 1.6pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-80 Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 QuadroMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS282-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS282-GS18-FT |
VS-30EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF10-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30EPF10PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF02-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPF04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC2V3000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
Intel
10AX115U4F45I3SG
Intel