casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LL4151-M-18
codice articolo del costruttore | LL4151-M-18 |
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Numero di parte futuro | FT-LL4151-M-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
LL4151-M-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 50mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 MiniMELF |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LL4151-M-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LL4151-M-18-FT |
BAQ133-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS281-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103B-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ134-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS101C-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS103C-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ133-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ134-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ135-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ135-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel