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codice articolo del costruttore | LBM2016T180JV |
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Numero di parte futuro | FT-LBM2016T180JV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB, M Type |
LBM2016T180JV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 18µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 150mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 3.25 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 18MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.071" (1.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T180JV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LBM2016T180JV-FT |
CB2016T6R8M
Taiyo Yuden
CBC2016T100K
Taiyo Yuden
CBC2016T220K
Taiyo Yuden
CBC2016T220M
Taiyo Yuden
CBC2016T470M
Taiyo Yuden
LB2016T100KV
Taiyo Yuden
LB2016T220KV
Taiyo Yuden
LB2016T330K
Taiyo Yuden
LB2016T4R7M
Taiyo Yuden
LBC2016T100M
Taiyo Yuden
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel