casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VS-VSKD196/12PBF
codice articolo del costruttore | VS-VSKD196/12PBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VS-VSKD196/12PBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-VSKD196/12PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 97.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20mA @ 1200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | INT-A-Pak |
Pacchetto dispositivo fornitore | INT-A-PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKD196/12PBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-VSKD196/12PBF-FT |
MBRB2060CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2060CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20H60CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2545CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2545CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB25H45CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ84B
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F40C4N
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1927C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
10AX115N3F45I2SGES
Intel
EP2AGX45DF29C4
Intel
EP2AGZ225FF35I3N
Intel