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codice articolo del costruttore | LBR2012T2R2MV |
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Numero di parte futuro | FT-LBR2012T2R2MV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB, R Type |
LBR2012T2R2MV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 260mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 130 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 80MHz |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBR2012T2R2MV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LBR2012T2R2MV-FT |
HK21251N5S-T
Taiyo Yuden
HK21251N8S-T
Taiyo Yuden
HK212522NK-T
Taiyo Yuden
HK212527NK-T
Taiyo Yuden
HK21252N2S-T
Taiyo Yuden
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Taiyo Yuden
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Taiyo Yuden
HK212539NJ-T
Taiyo Yuden
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Taiyo Yuden
HK21253N3K-T
Taiyo Yuden
EP3CLS200F484I7
Intel
EP3C10E144I7N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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Intel