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codice articolo del costruttore | HK21252N2S-T |
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Numero di parte futuro | FT-HK21252N2S-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HK |
HK21252N2S-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 2.2nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 300mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 10 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 4GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.041" (1.05mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HK21252N2S-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HK21252N2S-T-FT |
LBM2016TR18JV
Taiyo Yuden
LBM2016TR22JV
Taiyo Yuden
LBM2016TR27J
Taiyo Yuden
LBM2016TR27JV
Taiyo Yuden
LBM2016TR33J
Taiyo Yuden
LBM2016TR33JV
Taiyo Yuden
LBM2016TR39JV
Taiyo Yuden
LBM2016TR47J
Taiyo Yuden
LBM2016TR47JV
Taiyo Yuden
LBM2016TR56JV
Taiyo Yuden
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation