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codice articolo del costruttore | LAV35VBR56M |
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Numero di parte futuro | FT-LAV35VBR56M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, V Type |
LAV35VBR56M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 560nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 880mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 140 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 110MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.236" Dia (6.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAV35VBR56M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LAV35VBR56M-FT |
LAP02KR330K
Taiyo Yuden
LAP02KR390K
Taiyo Yuden
LAP02KR3R3K
Taiyo Yuden
LAP02KR3R9K
Taiyo Yuden
LAP02KR470K
Taiyo Yuden
LAP02KR4R7K
Taiyo Yuden
LAP02KR560K
Taiyo Yuden
LAP02KR5R6K
Taiyo Yuden
LAP02KR680K
Taiyo Yuden
LAP02KR6R8K
Taiyo Yuden
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel