casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / LAV35VB100K
codice articolo del costruttore | LAV35VB100K |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-LAV35VB100K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, V Type |
LAV35VB100K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 460mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 450 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 21MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.236" Dia (6.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAV35VB100K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LAV35VB100K-FT |
LAN02TA331J
Taiyo Yuden
LAN02TA390J
Taiyo Yuden
LAN02TA391J
Taiyo Yuden
LAN02TA3R3J
Taiyo Yuden
LAN02TA3R9J
Taiyo Yuden
LAN02TA470J
Taiyo Yuden
LAN02TA471J
Taiyo Yuden
LAN02TA4R7J
Taiyo Yuden
LAN02TA560J
Taiyo Yuden
LAN02TA5R6J
Taiyo Yuden
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel