casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSC839YBU
codice articolo del costruttore | KSC839YBU |
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Numero di parte futuro | FT-KSC839YBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSC839YBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 12V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSC839YBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSC839YBU-FT |
BF422,116
NXP USA Inc.
BF423,116
NXP USA Inc.
BSR50
ON Semiconductor
BUJ100,126
WeEn Semiconductors
BUJ100,412
WeEn Semiconductors
BUJ100LR,126
WeEn Semiconductors
BUJ100LR,412
WeEn Semiconductors
FJN13003BU
ON Semiconductor
FJN3301RBU
ON Semiconductor
FJN3303BU
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel