casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BUJ100LR,412
codice articolo del costruttore | BUJ100LR,412 |
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Numero di parte futuro | FT-BUJ100LR,412 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BUJ100LR,412 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 750mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 400mA, 5V |
Potenza - Max | 2.1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUJ100LR,412 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUJ100LR,412-FT |
BC548BBU
ON Semiconductor
BC548BG
ON Semiconductor
BC548C
ON Semiconductor
BC548CBU
ON Semiconductor
BC548CG
ON Semiconductor
BC549
ON Semiconductor
BC549ABU
ON Semiconductor
BC549B
ON Semiconductor
BC549BBU
ON Semiconductor
BC549BU
ON Semiconductor
LFXP3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA6SLX25-3FGG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2280C-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27I7
Intel
5SGXMABK3H40C4N
Intel
XC7A15T-2CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE55F29C8
Intel