casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSA709GBU
codice articolo del costruttore | KSA709GBU |
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Numero di parte futuro | FT-KSA709GBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSA709GBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 700mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 200mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 50mA, 2V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSA709GBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSA709GBU-FT |
BC556CBU
ON Semiconductor
BC556_J18Z
ON Semiconductor
BC557
ON Semiconductor
BC557,116
NXP USA Inc.
BC557ABU
ON Semiconductor
BC557B
ON Semiconductor
BC557B,116
NXP USA Inc.
BC557B,126
NXP USA Inc.
BC557BBU
ON Semiconductor
BC557BG
ON Semiconductor
LFXP3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA6SLX25-3FGG484I
Xilinx Inc.
LCMXO2280C-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27I7
Intel
5SGXMABK3H40C4N
Intel
XC7A15T-2CSG324C
Xilinx Inc.
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE55F29C8
Intel