codice articolo del costruttore | BC557B |
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Numero di parte futuro | FT-BC557B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC557B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | 320MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC557B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC557B-FT |
BC337BU
ON Semiconductor
BC337G
ON Semiconductor
BC338
ON Semiconductor
BC33816BU
ON Semiconductor
BC33825BU
ON Semiconductor
BC33840BU
ON Semiconductor
BC338BU
ON Semiconductor
BC368
ON Semiconductor
BC368,126
NXP USA Inc.
BC368G
ON Semiconductor
AT6010A-4AC
Microchip Technology
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG484
Microsemi Corporation
AGL600V2-FGG256
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3EQC
Microchip Technology
AT6005-4AC
Microchip Technology
EP4CGX75CF23C6
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
A42MX24-3TQG176I
Microsemi Corporation
10AX027E1F27E1HG
Intel