casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSA709CYBU
codice articolo del costruttore | KSA709CYBU |
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Numero di parte futuro | FT-KSA709CYBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSA709CYBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 700mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 200mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 50mA, 2V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSA709CYBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSA709CYBU-FT |
BC556B_J18Z
ON Semiconductor
BC556CBU
ON Semiconductor
BC556_J18Z
ON Semiconductor
BC557
ON Semiconductor
BC557,116
NXP USA Inc.
BC557ABU
ON Semiconductor
BC557B
ON Semiconductor
BC557B,116
NXP USA Inc.
BC557B,126
NXP USA Inc.
BC557BBU
ON Semiconductor
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
5SGXEA3K2F40C2N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
Intel
EP20K100QC240-1
Intel
EP20K60EQI208-2X
Intel