casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS61NVP51236-200B3
codice articolo del costruttore | IS61NVP51236-200B3 |
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Numero di parte futuro | FT-IS61NVP51236-200B3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS61NVP51236-200B3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Synchronous |
Dimensione della memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 3.1ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.375V ~ 2.625V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 165-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 165-TFBGA (13x15) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS61NVP51236-200B3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS61NVP51236-200B3-FT |
IS61LPD102418A-200B3I
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LPD102418A-200B3I-TR
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IS61LPD102418A-250B3
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