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Microsemi Corporation JAN2N6796
- Numero parte MFG
- JAN2N6796
- quantità disponibile
- 37630 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Microsemi Corporation
- Breve descrizione
- Military, MIL-PRF-19500/557 MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- JAN2N6796.pdf
JAN2N6796 specificazioni
| codice articolo del costruttore | JAN2N6796 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-JAN2N6796 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| JAN2N6796 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.51nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
| Pacchetto / caso | TO-205AF Metal Can |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| JAN2N6796 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | JAN2N6796-FT |
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