casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / JANTXV2N6766T1
codice articolo del costruttore | JANTXV2N6766T1 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N6766T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
JANTXV2N6766T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-254AA |
Pacchetto / caso | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N6766T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N6766T1-FT |
IXUV170N075S
IXYS
JAN2N6756
Microsemi Corporation
JAN2N6758
Microsemi Corporation
JAN2N6760
Microsemi Corporation
JAN2N6762
Microsemi Corporation
JAN2N6764
Microsemi Corporation
JAN2N6764T1
Microsemi Corporation
JAN2N6766
Microsemi Corporation
JAN2N6766T1
Microsemi Corporation
JAN2N6768
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel