casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / APT27ZTR-G1
codice articolo del costruttore | APT27ZTR-G1 |
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Numero di parte futuro | FT-APT27ZTR-G1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT27ZTR-G1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 40mA, 200mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 100mA, 10V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT27ZTR-G1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT27ZTR-G1-FT |
JANTX2N5581
Microsemi Corporation
JANTX2N918UB
Microsemi Corporation
JANTXV2N2218
Microsemi Corporation
JANTXV2N2218AL
Microsemi Corporation
JANTXV2N2221AUA
Microsemi Corporation
JANTXV2N2369AUA
Microsemi Corporation
JANTXV2N2484UA
Microsemi Corporation
JANTXV2N2484UB
Microsemi Corporation
JANTXV2N2904A
Microsemi Corporation
JANTXV2N2904AL
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
APA600-BGG456I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC256-2
Intel
5SGSMD8K3F40C4N
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-L1FBG484I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE115F29I8L
Intel